01 問題的描述某客戶使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒，想要 SRAM 的數據在退出 standby模式后得以保持。根據手冊的描述，配置了相應的比特位，但是發(fā)現數據仍然保持不了。02 問題的復現根據客戶的描述，以及 STM32G071 的最新版參考手冊 RM0444 發(fā)現，在 standby 模式下，可以通過設置 PWR_CR3 的 RRS 比特位去控制 SRAM 的保持能力，相應的 API 接口函數為HAL_PWREx_EnableSRAMRetention()、HAL_PW
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STM32G071 standby SRAM
SRAM正在通過與芝加哥Generative Design Field Lab的Autodesk軟件，開始制造真正可用的3D打印原型曲柄?；谶@種人工智能設計流程，我們可能會看到完全重新構想的SRAM曲柄投放市場。不容置疑的是，SRAM在這種新的設計方法中投入了大量精力，并且他們已經在真實的道路上，用這款電腦設計的山地車曲柄進行了的多次迭代測試……使用Autodesk，SRAM能夠從空白開始，讓人工智能根據曲柄組中的作用力和各種自動化制造過程，為原型曲柄組篩選出最佳的設計形式。到目前為止，似乎SRAM已經
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SRAM 3D打印
像Nvidia這樣的芯片巨頭可以負擔得起7nm技術，但初創(chuàng)公司和其他規(guī)模較小的公司卻因為復雜的設計規(guī)則和高昂的流片成本而掙扎不已——所有這些都是為了在晶體管速度和成本方面取得適度的改善。格芯的新型12LP+技術提供了一條替代途徑，通過減小電壓而不是晶體管尺寸來降低功耗。格芯還開發(fā)了專門針對AI加速而優(yōu)化的新型SRAM和乘法累加(MAC)電路。其結果是，典型AI運算的功耗最多可減少75%。Groq和Tenstorrent等客戶已經利用初代12LP技術獲得了業(yè)界領先的結果，首批采用12LP+工藝制造的產品將于
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AI CNN SRAM CPU 芯片
引言自從幾十年前首次推出FPGA以來，每種新架構都繼續(xù)在采用按位（bit-wise）的布線結構。雖然這種方法一直是成功的，但是隨著高速通信標準的興起，總是要求不斷增加片上總線位寬，以支持這些新的數據速率。這種限制的一個后果是，設計人員經?；ㄙM大量的開發(fā)時間來嘗試實現時序收斂，犧牲性能來為他們的設計布局布線。傳統的FPGA布線基于整個FPGA中水平和垂直方向上運行的多個獨立分段互連線（segment），在水平和垂直布線的交叉點處帶有開關盒（switch box）以實現通路的連接。通過這些獨立段和開
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ATT FCU SRAM FMAX
全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日宣布擴大其備受歡迎的IP的授權范圍，幫助設計師能夠在瞬息萬變的行業(yè)中滿足廣泛的客戶需求。自即日起，客戶將可訪問諸如尖端的7nm（納米）SRAM和TCAM，以及領先的標準以太網時間敏感網絡（TSN）等IP。此外，瑞薩電子正致力于打造包括PIM（內存處理）的系統IP，該技術首次在2019年6月的會議論文中提出，作為AI（人工智能）加速器引起廣泛關注。利用這些IP，客戶可迅速啟動其先進的半導體器件開發(fā)項目，例如為領先的5G網絡開發(fā)下一代AI芯
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IP SRAM
作者：王鑫，王烈洋，占連樣，陳像，張水蘋，湯凡，黃小琥，李光摘要VDSR32M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的靜態(tài)隨機器(SRAM)用其對大
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SRAM 測試
網絡路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網絡追蹤和網絡安全的統計計數器。計數器用來記錄數據包到達和離開的次數以及特定事件的次數，比如當網絡出現
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SRAM 網絡
MRAM新創(chuàng)公司STT開發(fā)出一種存儲器專有技術，據稱可在增加數據保持的同時降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結構將在MRAM市場扮演什么角色?它能成為加速MRAM市場起飛的重要推手嗎? 磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發(fā)出MRAM專用技術，據稱能以同步提高數據保持(retention)與降低電流
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MRAM SRAM
RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。
按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機存
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SRAM DRAM
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類已經進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上，形成所謂的SoC(片上系統)。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲器，在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來了解一下相關內容吧?！ 〗谂_積電技術長孫元成在其自家技術論壇中，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年進行風險性試產。預計試產主要采用2
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存儲器 SRAM
包括抗輻射存儲器在內的先進嵌入式系統解決方案市場領導者賽普拉斯半導體公司和全球領先的半導體代工廠聯華電子股份有限公司(以下簡稱“UMC”)今日聯合宣布，賽普拉斯 65nm 和 40nm 技術平臺成為業(yè)界首批榮獲合格制造商名單 (QML) 認證的平臺，為其未來產品鋪平了道路。UMC的 Fab 12A(位于臺灣臺南)生產的新一代 144 Mb 四倍數據速率 (QDR) II+、
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賽普拉斯 SRAM
聯華電子與抗輻射記憶體 (Radiation hardened memories) 領導廠商Cypress今 ( 15日) 共同宣布，Cypress的65和40奈米的技術平臺率先業(yè)界，完成其先進產品流程合格製造商清單 (QML) 的認證。 聯華電子位于臺灣臺南的Fab 12A所製造的下一代144-Mbit四倍資料速率 (QDR) II +，144-Mbit&nbs
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Cypress SRAM
所謂外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM（SRAM）。外部SRAM存儲器也有不少種類。對于外部SRAM的選擇是由應用需求的性質決定的。使用外部SRAM存儲器既有優(yōu)點又有缺點。
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SRAM 存儲器 RAM FPGA
當你打開任何智能電子設備(從老式的電視遙控器到全球定位系統)，會發(fā)現幾乎所有的設備都至少采用了一個微控制器(MCU)，很多設備里還會有多個微控制器。MCU往往被用于專用的終端產品或設備中，它能夠很好地完成特殊任務。另一方面，PC的大腦，即微處理器被設計用于實現許多通用的功能。微控制器可用于降低成本，加固工業(yè)和自動化應用，將其嵌入FPGA中時，還可以通過重新編程迅速改變功能。這種靈活性使得單個設備可應用于接口標準不同的多個市場。
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微控制器 SRAM FPGA
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [
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